晶彩科技提供RFID 相關技術的CMOS製程 IC設計服務，以滿足不同RFID的應用需求，CMOS製程依不同客戶需求或RFID周邊功能的IC生產需求，可以涵蓋0.35um、0.25um、0.18um、0.13um等不同的IC製程。

RFID的 IC設計主要涵蓋三個技術領域，包括:
1. 類比RF技術 – RFID的類比RF部分主要是負責提供IC穩定的電源供給，IC與外界的無線通訊，包括所使用的無線頻段、無線接收(Rx)/傳送(Tx)技術、訊號調變技術等，RFID設計的無線頻段主要區分為四個不同的頻段，包括低頻(125K-133K)、高頻(13.56MHz)、超高頻(315MHz、433MHz、860-960MHz)以及微波(2.4GHz & 5.7GHz)。
2. 數位技術 – RFID的數位技術主要是負責IC與外界溝通的指令集，通信協議Protocol，加減密的演算法。此數位技術的功能即根據上述的規則編譯成預存的程式碼，設計為FPGA形式的IC線路，負責整個RFID IC的動作。
3. 記憶體技術 – 記憶體功能是RFID IC不可或缺的ㄧ環，RFID的記憶體技術包括Mask ROM光罩式唯讀記憶體，OTP(One-Time Programming)單次燒錄式唯讀記憶體，EEPROM電流可消除可程式多次讀寫記憶體。

晶彩科技的RFID IC設計技術涵蓋上述三個領域，可以因應不同客戶的需求，使用不同的RF頻段，利用不同的數位規則，組合不同的記憶體容量，設計成不同功能的RFID IC。關於記憶體的設計，晶彩科技可以提供自96 位元至4M位元的不同容量EEPROM，以滿足客戶的特殊需求。若有 RFID IC 設計的需求, 請與我們連絡: rfid@favite.com